A p-type AlAs(70.2 nm)/16.5 period ［GaAs(3 nm)/AlAs(0.7 nm)］ semiconductor/superlatice distributed Bragg reflector (DBR) h......

先给出了PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)陶瓷材料在低温下变温XRD分析结果,证明了超晶格的出现与材料的微结构变化有关.测试了该样品在低温......