x)Sn_x相关论文
Ge1-xSnx是一种新型IV族合金材料,在光子学和微电子学器件研制中具有重要应用前景.本文使用低温分子束外延(MBE)法,在Ge(001)衬底......
通过合金化改性技术,Ge可由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体.改性后的Ge半导体可同时应用于光子器件和电子器件,极具发展潜力.......
在微波作用下利用MgH_2、纳米Si粉、Sn粉和Bi粉进行固相反应,结合电场激活压力辅助合成法(FAPAS)制备了高纯Bi掺杂的Mg_2Si_(1-x)S......
