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研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨......
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传统的隧穿晶体管由于自身结构的不对称性使其只有单向电流通路,造成了电路设计的诸多不便.以改善这一缺陷为目的,设计了一种新型......
由于SiC材料具有大的禁带宽度、高的临界击穿电场、高的电子饱和速度以及高的热导率等性能,因而在高温、大功率、抗辐照等工作条件......