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1200V碳化硅功率模块的封装电磁设计
随着人们对Si材料的研究趋近物理极限,材料性能更佳的SiC材料成为功率半导体芯片研究重点。与Si IGBT结构相比,SiC MOSFET芯片存在......
学位
SiC MOSFET
杂散参数
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双脉冲测试
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功率模块设计
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