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垂直微腔结构相关论文
AlGaN基共振腔增强型紫外光电探测器的研究
Ⅲ族氮化物(Ⅲ-Nitrides)半导体材料由AlN、GaN、InN以及它们的三元或者四元合金化合物所组成。AlN、GaN、InN均为直接带隙材料,带......
学位
AlGaN基
共振腔
紫外光电探测器
Ⅲ族氮化物半导体材料
Bragg反射镜
垂直微腔结构
330nm A1GaN基共振增强型紫外线探测器的研究
近年来,Ⅲ族氮化物材料越来越受到人们的关注。由于Ⅲ族氮化物为直接带隙半导体材料,且具有独特的光电特性和优异的物理、化学特性使......
学位
Ⅲ族氮化物
光电特性
Bragg反射镜
垂直微腔结构
微腔器件
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