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GaN PIN betavoltaic nuclear batteries are demonstrated in this work.GaN epitaxial layers were grown on 2-inch sapphire s......
本文结合低温生长Si缓冲层与Si间隔层方法.利用化学腐蚀,观察不同外延层厚度处位错的形貌.研究了不同温度下生长的Si间隔层对SiGe......
该文报道用超高真空化学气相沉积系统（UHV/CVD）方法，采用锗岛缓冲层技术，在硅衬底上生长锗硅外延层。超高分辨电镜（HRTEM）显示，外延层界面......
InGaN材料在光电材料和光电器件方面有着重要的应用前景。尤其是随着半导体照明和太阳能电池技术的发展，InGaN材料的研究受到人们越......
本文讨论了InP/InGaAsP/InGaAs/InP SAGM-APD结构的抗回熔生长,并解决了InP在InGaAs上液相外延生长时的回熔问题。同时,研究了各外......
本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温（700℃左右）下生长InGaAlP外延层时，抑制In组分脱吸附的“动压力模......
