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干法剥离光刻胶相关论文

等离子体充电损伤研究

本文研究了MOS器件的等离子体充电损伤，测试和比较了四种等离子体工艺后不同天线比的器件电学参数和击穿特性，主要的工作和研究成果......

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等离子体充电损伤性能退化电流应力测试干法剥离光刻胶金属氧化物半导体器件等离子体充电损伤微电子学固体电子学

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