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用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个......
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管（MOSFET）隧穿电流的影响。中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方......
