引出电压相关论文
采用ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ离子源的离子束合成方法，对单晶Ｓｉ衬底注入Ｃ＋离子，获得不同剂量下的ＳｉＣ埋层．Ｃ＋离子束的引出电压为５０ｋＶ，注入的剂量为３０×１０１７—１６×１０１８ｃｍ－２．通过红外吸收谱的......
文章介绍了一个能量小于100ev～8.0kev范围连续可调、束流强度10μA左右的冷阴极双等离子原的调试及其结果。除具有双等离子源的共同......
1.引言 粒子束应用装置不仅在半导体制造工艺上是不可缺少的,而且对各种物质的表面改性和薄膜形成也起作用。人们正在期待着其应用......
ＴＩＴＡＮ离子源是一种新的能够同时产生强金属和气体离子束流的离子源。利 用它我们已经得到了 Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｃ、Ｓｉ、Ｈｅ、Ｎ、Ａｒ等气 体和金......
本文着重讨论了我校所研制的永磁冷阴极电子振荡型离子源的结构、放电稳定性、离子的引出及寿命等问题。本离子源产生硼、磷离子,......
描述了研制的液体镓离子源的结构工艺,并对该离子源的电流与引出电压的关系,电流与温度的关系,亮度等进行了测试和讨论.该离子源的......
为探讨场发射电流的影响因素,我们的实验指出,真空状况是很重要的。特别是要解决第一阳极的出气问题。制做了一个直接加热的引出电......
那是一个寒冷的冬季,我的宝贝快译通EC1700发出警告:“电池容量不足,请更换电池!”由于诸多的不便,一时没法换,只好委屈她了。把......
本文介绍了使用高分辨圆柱扇形能量分析器对微波离子源中引出的Ar~+离子束能量范围的研究结果。由半峰值谱线宽度测得的能量范围约......
本文介绍一种可适用于金属表面改性用的溅射离子源。采用双层热屏蔽套,在相同的引出总束流前提下,可相应减小灯丝加热功率。初步调......
文章介绍了一种改进型弧放电离子源,它是利用弧放电与溅射相结合的原理。源的结构是采用石英玻璃放电室,它里面又设了一个石英屏蔽......
本文介绍了LY—3型——永磁冷阴极电子振荡型离子源(以下简称LY—3型离子源)的结构设计和实验结果。用BF_3、PH_3、Ar等作放电物质......
利用金属气化真空弧离子源(以下简称Mevva)形成金属等离子体,然后从中引出离子束是一种很有效的产生大束流金属离子束的技术。周期......
利用金属蒸汽真空弧（ＭＥＶＶＡ）离子源引出强流Ｔｉ离子注入单晶硅，当ＭＥＶＶＡ源引出电压为４０ｋＶ，束流密度达到１００μＡ／ｃｍ２，Ｔｉ离子剂量为５×１０１７／ｃｍ２，Ｔｉ离子注入单晶硅可得到Ｃ５４－ＴｉＳｉ２的注入层，且薄层......
2011年,串列升级工程在线同位素分离器开展了各关键部件的研制,主要进展如下。开展了靶源系统研制,在靶源测试平台上开展了表面离......
测量了用于ADS研究的强流ECR离子源脉冲束发射度,离子源引出120mA/75keV的强流质子束,并通过调制微波电源实现离子源引出束流的脉......
离子源是强流质子回旋加速器的核心设备之一,它的性能直接影响着最终束流强度大小和品质。本文介绍用于强流质子回旋加速器上的多......
为了满足14MeV回旋加速器对离子源的需求,设计了1台小型的H-多峰场离子源,其内腔直径为48mm,长为79.5mm。从离子源引出能量为25keV......
本文描述扇形聚焦回旋加速器静电引出通道的设计计算,给出了通道起始方位角位置、径向和轴向形状、接受度和引出电压的计算结果,列......
一、引言弧放电离子源广泛应用到大型同位素分离器上。这种离子源的通用性好,几乎适用于元素周期表中的所有元素,而且流强比较大,......
采用单孔引出系统的Moak型高频直流源,要引出十几毫安的离子流,必须选取孔道直径较粗长度较短的吸极,提高高频振荡器的输出功率和......
本文简要叙述了引出电压28kV、脉宽25ms的80kW中性束注入器原理,详细报导了实验结果并同理论值做了比较。
In this paper, the pr......
桶式离子源具有很多优越性,是一种新的有广泛应用价值的离子源。为了研究聚变等离子体中性注入用的离子源,本文对桶式离子源的参数......
一、前言国内唯一的一台标准磁控管型H~-离子源已在1983年完成了桌上试验研究,达到了预期的指标。试验中发现,该源按弧功率估算应......
本文用强流传输矩阵法计算了3mA氮离子束通过第二类双间隙高梯度加速管的包络,并对计算结果作了讨论.
In this paper, the envelo......
本文介绍了一台适用于离子注入机的Freeman型离子源,该源结构简单、操作方便、功耗低、造价便宜。通过对离子源放电室结构、引出系......
引言简易、中流强、多离子种类离子源对于注入机是十分有益的。目前看来经由宋执中等人发展起来的永磁边引出潘宁源,经适当改进后......
这是一台为聚焦重离了束溅射制靶装置研制的离子源。双等离子体离子源产生1～2mA的氩离子束,并被加速到10keV的能量。通过调节单透镜......
本文介绍150kV中子发生器束流微机—光纤闭环控制系统的结构、功能及控制效果。
This paper introduces the structure, function......
本文简介了KLY-1低能宽束离子源的结构,给出了物理设计的主要公式和调试实验的结果。对于氩离子束,在离子能量为4keV,距引出电极24......
本文简单介绍了从离子源中引出束流的机制及最小角散度的离子光学条件;阐述在研制15cm双潘宁离子源(引出电压25kV、电流20A)时,所......
由美国国家静电公司引进的高频负离子源存在寿命短的问题。为提高该源寿命进行了一系列尝试,并通过在铷交换室和源之间加一冷却法......
设计了一台多阴极的金属蒸气真空弧离子源,它有18个阴极,任一阴极都能在真空状态下被迅速接入电路工作。这是一种新型的强流金属离......
叙述了１００ｋｅＶ金属表面改性离子注入与混合两用机的总体结构及各主要部件的技术参数．该机经过调试各项主要指标已达到设计要求．工作稳定可靠......
安装了ＥＣＲ离子源及其外注入系统后，增加了离子种类、提高了束流强度。扇聚焦等时性回旋加速器（ＳＦＣ）主要工作点分布于三次谐波加速区域，为了匹......
介绍了永磁端引出溅射ＰＩＧ离子源的进展状况，通常它可用于引出气体的与金属的单或多电荷离子，在２０－３０ｋＶ的引出电压下，可引出ｍＡ级的气体离子和数十微......
介绍了两种引出负离子的永磁ＰＩＧ离子，它们可用于直接引出电子亲合势较大元素的负离子，如Ｈ、Ｃ、Ｏ、Ｆ等负离子．当两者均要用ＬａＢ６阴极，在饱和引出电压......
利用金属蒸汽真空弧放电离子源对Ｈ１３钢样品进行Ｍｏ＋Ｃ双离子注入，离子引出电压为４０ｋＶ，Ｍｏ和Ｃ的注入剂量分别为６×１０１７ｉｏｎｓ／ｃｍ２和９×１０１７ｉｏｎｓ／ｃｍ２。利用阳极极化扫描方法测量样品在......
研制了１种用在离子束细胞刻蚀装置中的小型腔式微波离子源，它由石英放电管、同轴谐振腔和封装在管一端的二电极引出系统组成。该源由......
叙述了用金属筒来增强ECR2离子源的高电荷态离子束流强度。铝筒的增强效果最为显著。与锆简相比，Ar(8+)离子的束流强度从245μA增至......
