替位杂质相关论文
该文对生长在Ｓｉ、Ｇｅ及其合金衬底上形变的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究．其中形变合金的电子结构用经验的紧束缚方......
应用共振喇曼和荧光光谱系统地研究了Ａｓ离子注入ＣｄＴｅＭＢＥ外延膜的热退火行为．发现随着退火温度（ＴＡ）升高至４４０℃，其晶格恢复和缺陷态消除得最完整，当ＴＡ高于......
采用定域密度泛函离散变分方法（ＬＤＦＤＶＭ）计算了Ｓｉ中掺Ｅｒ的原子构型与电子特性，并计算了Ｏ共掺杂对Ｓｉ中掺Ｅｒ体系的原子构型与电子特性的影响．结果表明......
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO和Al掺杂ZnO的能带结构和介电常数,又采用固相反应法在600℃......
本文研究了用Li饱和补偿的掺Si-GaAs的局域振动模(LVM)吸收,讨论了所观察到的LVM吸收带的由来,特别是将其中位于393.4cm(-1)和388.......
本文运用递归方法,计算了微量掺杂金刚石结构半导体材料中替位式杂质的声子谱.通过对声子态密度的多方面讨论,详细分析了杂质诱导......
用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了组分范围为x=0.11-0.95的掺Te的GaAs_(1-x)P_(?)混晶中的深能级.结果表明:样品中出现的深能级可分......
研究人员调研了上海的直径１００－１５０ｍｍ三条集成电路（ＩＣ）生产线上ＩＣ芯片的工艺诱生缺陷。研究表明这些ＩＣ生产线上存在三种主要诱生缺陷，ＩＣ与离子注入，薄膜应......
采用嵌入原子方法的原子间相互作用势,通过分子动力学方法研究了过渡族金属Cu,Ag,Au,Ni,Pd,Pt(111)表面的相互替位掺杂对表面稳定......
<正> “色心物理”的研究已经历了半个多世纪的发展时期,它贯穿于近代固体物理发展的始终,是近代固体物理最基础的内容之一,推动着......
该文对生长在Ｓｉ，Ｇｅ及共合金衬底上形变的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金中由替位原子或空位缺陷产生的能级进行了研究。其中形变合金电子的用经验的紧束缚方法进行......
