最大振荡频率相关论文
毫米波具有波长短、频带宽和波束窄等优势,可大幅提高雷达的探测精度和通信的数据容量,提供更多互不干扰的通道。此外,毫米波频段（3......
由于高的电子迁移率和二维电子气浓度,InP基赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs)器件成为制作太赫兹器件最有前途的三端器件之一。为提......
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基......
本文测量了SiGe HBT直流增益在60Coγ辐照过程中随剂量及电流注入水平的变化.实验结果显示在累计辐照剂量超过5000Gy(Si)后,器件增......
SiGe异质结双极晶体管(HBT)器件的截止频率(ft)、最大振荡频率(fMAX)等都精确地依赖于基区中Ge的分布剖面及基区掺杂的分布。综合......
基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LD......
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的Al-GaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基......
本文介绍一种自对性P型SiGe调制掺杂的场效应晶体管（MODFET’S）的新工艺，该工艺生产的器件保留了常规MODFET’S的高的调制效率，又克服......
运用一阶单时间常数低通函数模拟运算放大器的开环增益,对RC桥式振荡电路进行线性分析,得出最大振荡频率为运算放大器增益带宽积的......
针对集成电路的特征尺寸小于10nm以下所面临的短沟道效应、隧道效应和制造工艺限制困难引发的研究热点——石墨烯能否替代硅,着重......
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率（fT）和最大振荡频率（fmax）的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）.基于MOCVD......
