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GeMOS界面钝化与MOSFET器件制备研究
随着互补型金属氧化物半导体(CMOS)器件特征尺寸的不断缩小,Si MOS器件的发展已接近其物理极限。Ge因其高迁移率有可能取代Si成为下......
学位
互补型金属氧化物半导体器件
表面清洗
界面钝化
栅介质优化
制作工艺
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