氧化物半导体薄膜晶体管(thin film transistor,简称TFT)载流子迁移率高(～1-100 cm2V-1s-1),可见光区透明性好,沉积温度低、因此可......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......