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氮化镓基增强型相关论文
基于湿法栅刻蚀技术的GaN基增强型MOSFET的研究
增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)在下一代高效率高压功率器件的非常有广阔的应用前景。但是传统的AlGaN/GaN异质结很难形成增强......
学位
氮化镓基增强型
电子迁移率晶体管
硅衬底
湿法栅刻蚀
MOSFET
场效应迁移率
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