离子核反应相关硕士博士期刊学术论文

本文针对当前SOI工艺器件尺寸减下单粒子翻转愈加敏感的问题,以特征尺寸为0.5/0.35/0.18μm的SOI工艺静态随机存储器(SRAM)器件为......