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采用低压化学气相沉积（LPCVD）系统以高纯SiH4为气源,在p型10.16 cm〈100〉晶向单晶硅衬底SiO2层上制备纳米多晶硅薄膜,薄膜沉积温度......
以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分......
21世纪以来,全球范围内的传统能源迅速短缺和环境污染日益严重,这两个问题成为了制约经济发展的主要问题。太阳能作为一种清洁、无......
随着纳米技术发展，纳米多晶硅薄膜表现出优异的压阻特性，本文基于MEMS技术在<100>晶向单晶硅衬底上设计、制作纳米多晶硅薄膜压力传......
给出一种纳米多晶硅薄膜压力传感器,采用LPCVD法在衬底温度620℃时制备纳米多晶硅薄膜,基于MEMS技术在方形硅膜不同位置制作由4个......
