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结合脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)和直流(DC)磁控溅射方法成功制备了Pt/VOx/Pt/SiO2/Si阈值开关器件(TS),VOx薄膜厚......
随着科技的进步和生活节奏的加快,人们对芯片的处理速度、功耗等性能的要求也越来越高。尤其是当今盛行的非易失性存储器即将达到......
从理论上定性地分析了非晶态半导体的阈值开关机理。利用非均匀模型、热与热电理论和电子开关模型等，从3个方面描述非晶态半导体的......
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通过杂化密度泛函理论和弹性散射格林函数方法,计算了不同电极结构的Au-As-Au和Au-AsSb-Au扩展分子的电子输运性质。结果表明,在两......
