静电感应晶体管相关论文
本文通过采用导通4H-SiC衬底上的同质多层外延材料,成功制作出L波段SiC SIT(静电感应晶体管).该器件研制中,采用了介质辅助剥离、......
对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的......
首先对ＳＩＴＨ正向通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释。然后通过解析方法得到了ＳＩＴＨ沟道的电势分布，在此基础上，用有限差分法和迭代法求解......
本文介绍了功率器件的发展过程，重点阐述了近年来出现的可关断晶闸管的结构，工作机理，及它们各自的特点。
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双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）以其高电流增益，低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注．但对其作用机制，特别是正栅压下的开......
介绍了一种新型ＭＯＳ控制功率器件———ＭＢＳＩＴ，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＋衬底上生长ｎ－外延层。该器件被设计为常开器件，它......
本文简要叙述了开发和研制BSIT的市场背景和技术现状；对BSIT（BipolarStaticInductionTransistor）器件模型进行了理论分析；对BSIT器件的......
本文简述了静电感应晶体管（ＳＩＴ）大功率感应加热电源的研究成果。着重介绍了ＳＩＴ的参数选择及控制方法。此项成果已成功地应用于全固态高频钢......
从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和......
静电感应晶体管（SIT）的I－V特性（包括类三极管、类五极管以及三一五极管的混合特性）与器件的结构密切相关．沟道长度lc、沟道宽度dc、比值l......
第 1分册“电力半导体器件及其驱动集成电路” ,全面介绍了各种电力半导体器件的内部结构、外形、工作原理、参数定义、保护技术、......
很多电子设备的电源电路使用了半导体器件。笔记本电脑、移动电话、数码相机、便携视听等电池驱动产品日益增加,相对于各种电池的......
提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术 .讨论了寄生栅源电......
针对埋栅型静电感应晶体管 (SIT)提出一种柱栅模型 .用镜像法计算了器件内电势分布 ,并在此基础上计算了沟道势垒、栅效率、电压放......
研究了静电感应晶体管(SIT)在大注入情况下出现的空间电荷效应,分析了空间电荷效应的物理机制.从理论上推导出了SIT工作在沟道势垒......
描述了改善静电感应晶体管(SIT)大电流特性的新方法.首次定义了从不同角度表征SIT电特性的重要因子,如单位沟道宽度跨导、栅效率、......
制备了一种有机垂直光发射晶体管,兼具有机发光二极管的发光和晶体管的开关调节两个功能.其结构为一个有机发光单元垂直堆叠在一个......
为了满足静电感应晶体管(SIT)在中小功率高频领域的应用需求,基于SIT的工作原理以及中小功率高频应用对器件的性能要求,设计一款工......
静电感应晶体管（Static Induction Transistor,SIT）是近年来重新发展起来的一类功率器件。由于其具有耐压高、电流容量大、抗辐射性......
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现在利用了氧化层生长技术和三维元件结构如VMOS~2已经发展了(?)(?)(?)MOS元件。然而需要复(?)的工艺过程。本文将要描述一种三维......
最近提出了采用静电感应晶体管逻辑(SITL)制备低功耗、高速度的双极型大规模集成电路,并出现了在集成注入逻辑中采用静态感应晶体......
在表面栅和埋栅结构的基础上 ,提出了一种制造静电感应晶体管的新型结构 ,平面型埋栅结构 .用普通的平面工艺实现了具有高击穿电压......
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叙述了一种最高振荡频率较高的大功率、高击穿电压静电感应晶体管(SIT)的设计和制作,并给出了试验特性。应用场控电极使击穿电压提......
既保持高输入阻抗电压驱动特点,又表现出电流随电压而增加的非饱和型电流—电压特性的静电感应晶体管(Static Induction Transist......
日本三菱电机的LSI研究所采用内匹配技术研制1GHz下输出功率100W、增益为4dB的微波静电感应晶体管(SIT)获得成功,在1981年11月召......
本文介绍了一种在1千兆赫下输出功率大于5瓦的硅静电感应晶体管。着重讨论这种器件的特点,及其与双极型功率器件的比较。文章还介......
为了阐明静电感应晶体管静态特性与有源区杂质浓度的关系,提出了十字线形结构模型,所谓十字线形模型是把静电感应晶体管中最本质的......
DX33型硅微波功率静电感应晶体管是一种1GHz下输出功率≥10W、增益5～19dB的微波功率器件。具有非饱和型的三极管特性如图1所示。器......
本文主要介绍 DX30型硅超高频大功率静电感应晶体管的温度特性。这种器件在+12℃至—196℃的温度范围内工作正常。给出了不同温度......
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本文从表面栅静电感应晶体管(SIT)的基本物理模型出发,求出了沿沟道中心线的电势分布和沟道势垒高度的解析表达式.根据所得表达式......
通过实验,测量了硅结型三极管特性场效应管的栅-漏击穿电压BV_(GD)对栅-源击穿电压BV_(GS)的依赖关系。提出了源串联电阻R_S及沟道......
静电感应晶体管表现为势垒温度限制工作状态和类真空三极管的输出特性。决定器件特性的电势分布图中具有一个势垒,此势垒由于栅压......
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通过版图设计,成功地把双极型晶体管(BJT)和双极模式静电感应晶体管(BSIT)有机结合在一起,构成BJT-BSIT组合晶体管。BJT电流增益具......
研究了静电感应晶体管(SIT)的噪声特性。在中低频范围内SIT晶体管具有较高的噪声电平,并且随着温度的降低而增加,完成了不同温度下......
本文研制了BSIT组合器件,它是由BSIT和BJT组合而成的一种复合器件,具有开关速度高、功率容量大、h_(FE)的温度稳定性好等优点,可用......
为了保证调幅无线电稳定地发射、有效地工作以及广播设备的保养,日本广播公司(NHK)正采用全固态发射机来代替普通的、真空管发射......
