【摘 要】
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LiNbO3 (LN) ferroelectric film was epitaxially grown on Ga-terminated AlGaN/GaN template with two dimensional electron gas (2DEG) in channel.The epitaxial r
【机 构】
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State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Scienc
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
论文部分内容阅读
LiNbO3 (LN) ferroelectric film was epitaxially grown on Ga-terminated AlGaN/GaN template with two dimensional electron gas (2DEG) in channel.The epitaxial relationship was [10-10]LNO//[1-2-10]GaN via 30° in-plane rotation of the LNO film relative to the GaN layer.
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