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nc-Si材料在光电子领域、微纳电子学领域具有广泛的应用前景。含有nc-Si的薄膜的表征通常采用透射电镜(TEM)截面制样的方法，不仅测试样品制备方法复杂，而且测试周期较长。本文介绍了椭偏光谱法表征单层nc-Si薄膜中晶粒的高度和体积比。
椭偏光谱法表征单层nc-Si薄膜中晶粒的高度和体积比
【摘 要】
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nc-Si材料在光电子领域、微纳电子学领域具有广泛的应用前景。含有nc-Si的薄膜的表征通常采用透射电镜(TEM)截面制样的方法，不仅测试样品制备方法复杂，而且测试周期较长。本文
【机 构】
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固体微结构物理国家重点实验室,南大学物理系,江苏南京 210093
【出 处】
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第二届全国纳米材料与结构、检测与表征研讨会
【发表日期】
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2010年期
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