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本文采用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO,IAI)多层结构,通过在两层ITO薄膜之间插入了一层不同厚度的银薄膜,研究银薄膜厚度对IAI的电学和光学性能的影响。采用SEM、XRD、分光光度计及霍尔效应实验研究银薄膜厚度对IAI的表面形貌、结构、光学透过率及电阻率的影响规律。结果表明,当Ag膜厚度为10 nm时,IAI多层结构表现出最佳的电学和光学性能组合,其性能指数为54.05(方阻为6.14Ω/cm2,光学透过率为90.83%)。为了进一步评价IAI多层结构在无机全固态电致变色器件(ECD)中的应用,分别采用ITO和IAI作为无机全固态电致变色器件的顶电极,制备了结构为ITO/NiOx/LiPON/WO3/ITO和ITO/NiOx/LiPON/WO3/IAI的ECDs,并通过循环伏安法、计时安培法和光谱测量对其电化学和光学性能进行了表征。结果表明,与采用纯ITO作为顶电极的ECD相比,采用IAI顶电极的ECD呈现出略小的光调制幅度,但器件响应速度和循环性能更好。综上所述,IAI多层结构可有效替代ITO,成为无机全固态电致变色器件的透明导电电极。