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通过平面工艺和微机械加工技术将硅基Si<,3>N<,4>/SiO<,2>双层驻极体膜制作成2mm×2mm的小片,通过电晕充电及等温表面电位衰减测量,考察了微型化对材料的电荷储存稳定性的影响.研究材料在模拟的高温常湿、常温高湿恶劣储存环境(ET=125℃、EH=93℅)中的电荷稳定性.同时对比考察了HMDS和DCDMS两种不同化学表面修正试剂对材料电荷储存稳定性的影响.