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介绍了湿法黑硅与研究进展，总结和展望，湿法黑硅与CSPV历年CSPV中的湿法黑硅报告，常规HNO3/HF制绒属于各项同性刻蚀,有赖于硅片表面切割损伤层.金刚线切硅片表面损伤层浅并有线痕,导致刻蚀后有线痕残留、绒面浅,从而陷光性能差,最终影响效率。
MCCE technique for silicon solar cells:constructing light-trapping textures from nanoscale to submic
【摘 要】
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介绍了湿法黑硅与研究进展，总结和展望，湿法黑硅与CSPV历年CSPV中的湿法黑硅报告，常规HNO3/HF制绒属于各项同性刻蚀,有赖于硅片表面切割损伤层.金刚线切硅片表面损伤层浅并有线痕,导致刻蚀后有线痕残留、绒面浅,从而陷光性能差,最终影响效率。
【机 构】
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苏州大学物理与光电·能源学部
【出 处】
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第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
【发表日期】
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2016年10期
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