【摘 要】
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采用化学溶液池沉积法不同条件下在玻璃基底上生长了纳米棒状的ZnO阵列.XRD测试表明样品结晶性良好并且具有高度的c轴取向生长特性,SEM测试结果表明可以通过一种简单的控制生
【机 构】
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西安交通大学电子材料所,710049
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采用化学溶液池沉积法不同条件下在玻璃基底上生长了纳米棒状的ZnO阵列.XRD测试表明样品结晶性良好并且具有高度的c轴取向生长特性,SEM测试结果表明可以通过一种简单的控制生长溶液浓度的方法来实现所生长ZnO阵列的直径控制生长(75-400 nm),通过控制生长时间可以调节所生长ZnO纳米棒的长度,并通过多次生长实现了超厚柱状ZnO阵列薄膜的制备,得到厚度超过10μm的柱阵列结构.对所制备ZnO阵列的PL(光致发光)测试观察到很强的紫外发射光谱.
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