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适应现代集成电路制造的离子注入技术与装备
适应现代集成电路制造的离子注入技术与装备
来源 :第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:true51
【摘 要】
:
本文简述了现代集成电路制造工艺的发展状况,并详细论述适应现代集成电路制造工艺的离子注入技术特点和发展趋势;以及简要介绍了国内外主流的离子注入装备及特点.
【作 者】
:
唐景庭
【机 构】
:
中国电子科技集团第48研究所,长沙,410111
【出 处】
:
第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
:
2005年12期
【关键词】
:
集成电路
离子注入
超低能大束流
大角度注入
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本文简述了现代集成电路制造工艺的发展状况,并详细论述适应现代集成电路制造工艺的离子注入技术特点和发展趋势;以及简要介绍了国内外主流的离子注入装备及特点.
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