【摘 要】
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系统研究了平面肖特基二极管的制作工艺,对基片制作、欧姆接触、金属阳极制作、表面沟道的制作几个重要步骤做了较多的研究.通过MBE生长了掺杂浓度分别为5×1018cm-3的缓冲层
【机 构】
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中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900
【出 处】
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第二届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会
论文部分内容阅读
系统研究了平面肖特基二极管的制作工艺,对基片制作、欧姆接触、金属阳极制作、表面沟道的制作几个重要步骤做了较多的研究.通过MBE生长了掺杂浓度分别为5×1018cm-3的缓冲层和2×1017cm-3的外延层,厚度控制良好,晶格完整.通过参数控制,减小了PECVD沉积的SiO2钝化层应力,使压指结构的翘曲情况得以改善.研究了不同退火温度下欧姆接触的情况,使接触电阻率减小到了0.8×10-7Ω/cm2.用电子柬光刻和干法刻蚀制作了亚微米级的阳极区域,结合GaAs湿法刻蚀表面沟道制作出了完整的平面肖特基二极管.通过对Ⅰ-Ⅴ曲线的理论计算,二极管的截止频率达到太赫兹量级,为后续工作奠定了基础.
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