光探测器相关论文
提出阵面射频信号的光传输,研究基于数字阵雷达需求的模拟网络光纤传输,研究数字阵光纤传输原理,分析数字阵中光纤传输的关键技术,......
制备了平面结构2D/3D混合钙钛矿（PEA）0.15FA0.85SnI3/SnO2异质结光探测器。研究发现，SnO2薄膜的引入可以调控（PEA）0.15FA0.85SnI3薄膜的......
随着可穿戴设备的逐渐兴起,柔性电子器件成为了未来电子器件的发展方向。而ABX3型的钙钛矿材料在许多领域中都占据了极为重要的地......
GaN是一种理想的短波长发光器件材料。基于In GaN/GaN多量子阱的P-N结器件不仅可以在电流驱动下发出特定频率的光,同时也可对特定......
波导型光探测器是片上光互连系统的核心器件之一,其探测速度决定了片上光互连系统响应速度的上限。石墨烯是已知载流子迁移率最高......
由于其制备、加工工艺与传统互补金属氧化物半导体（COMS）电子学兼容,半导体薄膜被广泛应用于光探测器研究。然而,半导体薄膜中存在的......
近年来,二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）因极薄的尺寸以及优秀的电学与光学性能而备受关注。硫化钼（MoS2）是研究最广泛的TMDCs之一,它具......
石墨烯的卓越性能激发了人们对具有新颖电学和光学特性的二维层状材料的极大研究兴趣。作为类似于石墨烯的二维层状材料,具有原子......
二硫化钼（MoS2）作为层状二维材料的典型代表,由于其优异的机械性能和可调节的带隙已在光电子器件的应用中吸引了广泛的关注。尤其是......
作为准一维直接带隙半导体材料,单壁碳纳米管（single-wall carbon nanotube,SWCNT）拥有极高的载流子迁移率、光吸收效率以及随手性结......
学位
二维过渡金属硫属化物（TMDs）已被证明了拥有高载流子迁移率、禁带宽度对于紫外到近红外光波段理想以及与材料层数相关的能带结构等有......
二维材料因具有极其优异的光电性能,引发了国内外研究者的高度关注。从最初石墨烯的成功分离,到二维层状的范德华材料的发展和制备......
半导体纳米线因其准一维结构特征和优异的物理特性被认为是新一代光电子器件的理想结构单元。GaAs纳米线具有直接带隙和高的电子迁......
作为一种重要的低维半导体结构，硅量子点具有非常突出的光电性能，有可能显著推动硅基光电子等领域的发展.在各种制备硅量子点的方法......
光探测器响应度的温度特性是影响测量准确度的重要因素，常用光探测器有光电型、热电型两种.其中热电型光探测器包括热电偶测温原理......
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收OEIC的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究,基......
二维非层状化合物的制备存在巨大的困难,使二维材料仅仅被局限于石墨烯和层状类石墨烯化合物.本文我们成功制备二维氧化镓纳米片,......
半导体性单壁碳纳米管是直接带隙的准一维半导体材料，具有很好的电学和光电特性。碳纳米管的宽谱光吸收和皮秒量级的超快光响应特性......
构造石墨烯的垂直结构并研究其量子输运特性对于使石墨烯电子学扩展到第三个维度、丰富石墨烯的研究内容、发现新的实验现象和物理......
报道了一种Si基长波长、窄线宽光探测器。该探测器采用异质外延生长技术, 首先在Si衬底上生长高质量的GaAs基滤波器, 接着生长InP......
高性能偏振选择型光探测器是偏振检测系统中不可或缺的一部分。提出了一种由硅基谐振波导光栅和InP/InGaAs PIN光探测器混合集成的......
华中农业大学理学院教授谭佐军带领的智能感知与信息处理团队与瑞典林雪平大学教授高峰团队合作,针对铯银铋溴材料的结构和性质进......
文章基于氧化物半导体量子点制备、表征与应用设计了一个综合性实验。通过液相法合成ZnO-MgO核壳量子点,制备了半导体光探测器,并......
超宽带单行载流子(UTC)光电探测器因其仅需快速的电子输运过程,较传统PIN探测器具有明显宽带优势,是6G宽带无线通信、太赫兹成像、......
本文介绍了塑料光纤测试的IEC标准,讨论了测试光源和光探测器的选择,多模塑料光纤测试达到稳态模分布的测试条件以及塑料光纤的衰......
示波器是实验室的常用设备，传统模式的示波器基于微电子元件与光探测器，能得到30ps的分辨率。由于数据信号的传输越来越快，科学家需要......
合成了5,8-二溴蒽醌-2,3-二羧酸,进一步制备出相应的酸酐和一个新的电子受体——N-(1-己基庚基)-5,8-二溴蒽醌-2,3-二羧酸酰亚胺.......
曲线遥控电视机一般都配有遥控器,将遥控器发射孔对准电视机,就可以让它乖乖“听话”。如果不把遥控器直接对准电视机,也能让它“......
光纤陀螺用关键器件之一是超辐射发光二极管（ＳＬＤ）。采用ＳＬＤ作为光源，光纤陀螺可达到高精度、高灵敏度、高稳定性、低噪声的目的。ＳＬＤ是一种以内......
本文介绍一种工作在光通信实用的1.31μm波段上的激光功率标准装置。该装置的标准探测器采用孪生式平面型微量热计结构,用直流电功......
研制了具有约瑟夫逊弱连接行为的高TcGdBa2Cu3O7-δ双晶晶界结，并用双晶结进行光探测，用波长为0．6328μm的He－Ne激光器辐照双晶结区，系......
对Ge0.4Si0.6／Si超晶格探测器光场进行了分析，并用京传播法（BPM）进行模拟。还探讨了这种探测器与Si波导的集成。在Si波导满足单模传输......
文中报道了一种测量腔片、玻片及其它试样在3．39μm谱线处的透射率、反射率的光学测量仪器。此仪器可测量试样在不同角度下的透射率......
首次对Ｇｅ０．６Ｓｉ０．４／Ｓｉ应变超晶格光探测器中的光场分布进行了分析和研究，发现这种应变超晶格在总厚度Ｌ＝３４０ｎｍ的情况下，周期数Ｍ≥１５．５才能传输单模光波．另外，还计算......
日本科学技术振兴事业团（原新技术事业团）的山本量子波动规划与日本电信电话（株式会社）的基础研究所，共同开发出极微弱光的检测技术。能......
研制了具有约瑟夫逊效应的高TcGdBa2Cu3O7-δ薄膜双晶晶界结，按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测，光源是波长为0．6328μm......
用高ＴＣＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜研制了面微桥型２×４阵列式Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ芯片。实验发现，当减少高ＴＣＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜的厚度时，这种芯片上的微桥呈现出与双晶晶界型微桥异常相似的Ⅰ－Ⅴ......
将GaAs／AlGaAs多量子阱光探测器、光调制器与GaAs场效应晶体管（FET）混合集成,构成FET-SEED灵巧象元。光探测器和光调制器均为反射型自......
在晶界夹角为２４°的Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２人工双晶基片上制备高温超导双晶Ｇｄ－Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜，用光刻技术在晶界上刻出１０×１０ｍ２的双晶晶界结，它与外电路一起构成光探测器。在８０Ｋ用......
试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现ＩｎＡｌ（Ｇａ）Ａｓ∶ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ∶ＩｎＡｌＡｓ的选择腐蚀，达到了较好的效果，且工艺重复性好。同一单片上ＭＳＭ（金属－半导体－金属）光探测器的......
