热处理工艺对Ag纳米薄膜的影响

来源 :2006年全国功能材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zuiainivip
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采用MBE在Si(100)衬底上制备Ag纳米薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)和傅立叶变换红外光谱仪对Ag纳米薄膜的形貌和红外透射谱进行研究.研究结果表明:随衬底温度的升高Ag薄膜的平均晶粒尺寸逐渐增大;随退火温度升高Ag薄膜的颗粒性明显,对红外吸收增强,且吸收带出现宽化.
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采用氨水、双氧水和磷酸氢二铵溶液作沉淀剂,通过共沉淀法制备出Y(P,V)O4∶Tm3+荧光粉,利用XRD、SEM、紫外以及真空紫外激发下的发射光谱对其进行研究.结果表明:共沉淀法制备的Y(P,V)O4∶Tm3+荧光粉的颗粒形貌好,在147nm真空紫外光和254nm紫外光激发下,荧光粉发射主峰位于476nm,色坐标范围为:0.167≤x≤0.200,0.146≤y≤0.183.从这些结果来看,Y(P
以Bi(NO3)3·5H2O和Ti(OC4H9)4为原料,NaOH为矿化剂,聚乙二醇(PEG)为模板剂,采用水热法成功制备了形貌规则的Bi4Ti3O12片状纳米粉体.利用X射线衍射、X射线荧光光谱、扫描电子显微镜研究产物的物相、组成和显微结构特征,利用分子荧光光谱仪研究产物的光致发光特性.结果表明水热合成的片状Bi4Ti3O12纳米粉体为正交相钙钛矿结构,尺寸大约200nm,厚度10~20nm.室
用磁控溅射法制备了NiFe/PtMn双层膜,研究了在界面加入少量的Cr对交换偏置场的影响.结果发现:在Pt成分较高时,界面加Cr对反铁磁层为临界厚度时的交换偏置场影响最大,增大了1.5倍,达到了最大值.XRD结果表明加入Cr插入层使反铁磁层具有更好的织构.同时界面加Cr减小了PtMn的临界厚度。
采用化学气相沉积(CVD)法,以甩涂在Si(111)衬底上的Ga2O3薄膜和NH3作为原料,在无催化荆条件下成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、能量散射谱(EDS)仪和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品进行了成分和结构分析,并讨论了其生长机理.结果表明:生成的GaN纳米线平直光滑,直径在30~80nm内,长度可达几十微米,纳米线为六方纤锌矿结构的GaN
采用无机盐料浆法在K4104镍基高温合金表面制备Al-Si涂层.改变粘结剂CrO3的添加量得到了3种不同成分的Al-Si涂层.用静态氧化增重法对3种Al-Si涂层1000℃×200h的抗高温氧化性能进行研究,及用Sirion扫描电镜(带能谱分析)对涂层氧化不同时间后的表面形貌和截面组织形态进行观察及分析.研究结果表明,3种A1-Si涂层在1000℃×200h均具有较好的抗高温氧化性能;添加少量Cr
Ni47Ti44Nb9形状记忆合金由Ni-Ti基体相和富铌相组成.本文用扫描电镜和差示扫描量热仪(DSC)研究了固溶热处理对Ni47Ti44Nb9记忆合金显微组织和马氏体相变开始温度Ms点的影响.结果表明,固溶热处理后对该合金的显微组织结构没有明显的影响,但是微观上相的成分和含量发生了比较明显的变化,导致合金基体中Ni/Ti原子比的变化.相同冷却速度下,固溶热处理温度越高,将使得Ni-Ti相中的N
研究了用选相原位方法合成立方氮化硼(cBN)过程中升降温速度和反应体系的均匀性对产物物相的影响,利用X射线衍射(XRD)、红外吸收光谱(FTIR)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)对样品进行了表征.结果表明:当反应体系以较慢的速度升温和降温(0.5℃/min)时,可以合成近纯相的cBN;另外,适当加快搅拌速度可以提高反应体系的均匀性,同样对合成cBN有利。
介绍了一种新型蓝光有机电致发光材料2-(2-羟基苯基)苯并噻唑铍(Be(BTZ)2)的制备方法,并通过红外光谱、元素分析、热重曲线、差热曲线、紫外-可见光吸收光谱、循环伏安曲线、荧光激发光谱和光致发光光谱表征了Be(BTZ)2的结构与性能.实验结果表明:Be(BTZ)2的升华温度为317℃;在光致发光光谱中,Be(BTZ)2的最大发射峰波长为465nm,半高宽为48.9nm;Be(BTZ)2的最高
采用一步熔融共混法制备出乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)/A12O3纳米复合材料,以场发射扫描电镜(FESEM)、红外吸收光谱(FTIR)及扫描电镜(SEM)等测试手段表征了纳米A12O3微粒在EVA基体中的分散性及结构,并研究了复合材料的力学性能及流变性能.结果表明,纳米A12O3以20nm左右的粒径分散于EVA基体之中,并在乙烯基三乙氧基硅烷的作用下与EVA形成化学键合结构,拉伸断裂时由脆性转
采用流延法制备了La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ电解质薄膜,确定了流延浆料的基础组成,通过TG-DTA考察了素坯在排胶过程中的有机粘结剂的分解特性,通过烧结工艺的摸索制备了100×100的La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ电解质薄膜.