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  5. Raman scattering on the Polytype Transformation of SiC Bulk Wafer

Raman scattering on the Polytype Transformation of SiC Bulk Wafer

来源 :第十六届全国光散射学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaomayc
【摘 要】
：
@@ SiC because of its excellent properties，is very attractive in high power,highfrequency，and high temperature electronic and optoelectronic device applications.I
【作 者】
：
J.Chen S.C.Lien Y.C.Shin Z .C.Feng C.C.Liu Qiang Xu zhengyun Wu 
【机 构】
：
PhysicsDepartment,NationalUniversityofSingaporeSingapore117542GraduateInstituteofPhotonics&Optoelect
【出 处】
：
第十六届全国光散射学术会议
【发表日期】
：
2011年11期
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@@ SiC because of its excellent properties，is very attractive in high power,highfrequency，and high temperature electronic and optoelectronic device applications.In this chapter，Two typical wafer samples were prepared by Physical VaporeDeposition (PVD), with different Nitrogen (N) doping levels choosed.
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