【摘 要】
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随着高密度存储需求的不断增长,非易失性随机存储器不断面临着新的挑战,随之应力调控的磁电耦合效应引起了人们的广泛关注[1].在磁电耦合发展初期,人们认为单相多铁材料为最佳研究对象,但随着研究的不断深入,结果表明这类材料的磁电耦合效应比较小,不利于实际应用;从而由铁磁性衬底和钙钛矿锰氧化物薄膜组成的异质结逐渐成为磁电耦合效应的研究对象.Pr1-xSrxMnO3 体系带宽较宽,相分离较弱,为研究磁电耦合
【机 构】
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中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,磁学国家重点实验室,北京,100190
【出 处】
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第十六届全国磁学和磁性材料会议暨第十七届全国微波磁学会议
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随着高密度存储需求的不断增长,非易失性随机存储器不断面临着新的挑战,随之应力调控的磁电耦合效应引起了人们的广泛关注[1].在磁电耦合发展初期,人们认为单相多铁材料为最佳研究对象,但随着研究的不断深入,结果表明这类材料的磁电耦合效应比较小,不利于实际应用;从而由铁磁性衬底和钙钛矿锰氧化物薄膜组成的异质结逐渐成为磁电耦合效应的研究对象.Pr1-xSrxMnO3 体系带宽较宽,相分离较弱,为研究磁电耦合效应的本质提供了一个良好的平台.本文中,我们对比研究了Pr0.7Sr0.3MnO3/Pb(Mg1/3Nb2/3)0.7Ti0.3O3 (PSMO/PMN-PT)异质结中电场调控的各向同性和各向异性应变对薄膜磁性的影响.
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We have fabricated epitaxial exchange biased (EB) IrMn/FeGa bilayers by oblique deposition andsystematically investigated their magnetization reversal.Two different configurations with the uniaxialmag
2007年,加拿大曼尼托巴大学的自旋动力学研究小组提出了自旋整流(spin rectification)的概念[1].自旋整流是指:铁磁金属在铁磁共振时,由于各向异性磁电阻(AMR)导致交变的电阻,而交变的电阻与感生的交变电流会整流出的直流电压信号.自旋霍尔磁电阻(SMR)是近年来发现的一种新的磁电阻现象,它是非磁金属与铁磁绝缘体接触而产生的.它与AMR 类似,但是有着不同的角度依赖关系.
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磁各向异性是磁性材料的重要内秉参量之一,不仅决定着磁性材料的磁矩取向和矫顽力,也会影响到磁性器件的工作频率乃至功耗.磁性材料针对不同应用领域对于磁各向异性大小有着不同的要求.研究磁各向异性可控的磁性材料的调控方法和机理一直是个磁性材料和磁性物理中的核心问题之一.另一方面,如何获得磁各向异性可控的磁性薄膜的连续制备方法也是降低磁性材料与器件应用成本的有效途径[1].
近年来,如何解决稀磁半导体中磁性和电性的捆绑效应,实现自旋和电荷的分别注入和调控,成为稀磁半导体材料设计和研制的重大挑战.而已有研究表明[1],新型的Li1+y(Zn1-xMnx)As稀磁半导体,通过调节Li的化学计量数和Mn的浓度,能够实现电荷和自旋的分别注入和调控.采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对新型稀磁半导体V掺杂LiZnAs体系进行了研究.
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