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开展了不同工艺制作的重掺杂多晶硅栅n沟增强型功率VDMOSFET电离辐照效应实验研究，从n型重掺杂多晶硅制作工艺引起晶粒间复杂结构变化的角度分析解释了辐照实验中出现的阈值电压正漂和负漂两种不同趋势的辐射效应，提出了利用改变重掺杂多晶硅晶粒结构抑制功率VDMOSFET阈值电压漂移这种电离辐射效应的加固思路。