直流特性相关论文
在对外太空的探索中,用于宇宙射线探测的半导体探测器的输出信号比较微弱,必须搭配前置放大电路使用。近几年第三代半导体正飞速发......
对大功率InGaAsP/GaAs量子阱(QW)半导体激光器(LD)的直流(DC)特性和小注入下的低频噪声(LFN)特性进行了实验研究。DC检测发现,V-I......
GaAs基半导体材料凭借着其优良的性能,促使GaAs PHEMT（Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,赝高电子迁移率晶体管）器......
设计并制作了用于超导量子比特直流特性测试的级联低通滤波器,该滤波器由LCR滤波器和铜粉滤波器级联而成.滤波器在77K温度下的截止......
本文叙述了硼微晶玻璃片(国外简称为 Boron~(+TM),国内简称为PWB)在硅微波低噪声浅结平面型晶体管扩散工艺中的使用方法和系统的几......
成功制作了5mm栅宽SiC MESFET，初步研究了γ电离总剂量辐照对器件直流特性的影响。γ电离总剂量辐照源为钻60γ射线，γ射线剂量率为3......
现代通信技术的迅速发展，使得传统Si双极型晶体管已经不能够满足市场的需求，亟需造价低而高频特性好的新型器件。SiGe异质结双极晶体......
对新型双注入结型场效应器件的直流特性进行了较详细的分析 ,得出直流特性的解析表达式 ,证明这种器件由电压控制导电能力 ,具有较......
期刊
对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度......
新型双极结型场效应晶体管 (BJFET)兼有双极型和单极场效应两种器件的功能特点。文中分析推导出该新型器件的直流特性 ,然后使用 P......
期刊
对大功率InGaAsP/GaAs量子阱(QW)半导体激光器(LD)的直流(DC)特性和小注入下的低频噪声(LFN)特性进行了实验研究.DC检测发现,V-J和......
研究了W-15wt％Cu电接触材料在直流条件电弧作用下电极表面元素分布、材料微观组织形貌；探讨了电接触材料在直流电弧作用下的转移和腐......
在特高压交直流背景下,为全面分析特高压交直流电网的建设给江苏电网安全稳定运行带来的影响,重点选取江苏电网无功电压薄弱和区外......
在对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺的研究基础上，研制成功低噪声Si/SiGe/Si HBT，测试和分析了它的直流特性和低频噪声特性，为具有更好......
研究了Ag—La2NiO4电接触材料在不同条件直流电弧作用下电极表面的元素分布、材料的微观组织形貌、作用前后的形貌；探讨了Ag—La2Ni......
借助ISETCAD，对4H—SiCMESFET进行二维数值模拟，研究分析了表面陷阱对直流和瞬态特性的影响。数值模拟表明，在直流特性上，由于表面陷阱......
设计并制备了三种不同集电结结构的AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管,计算给出了三种集电结能带结构.通过对三种HBT的直流特性测试表......
采用一维有限差分方法,对生长在Si(001)衬底上的Si0.8Ge0.2应变基区异质结双极晶体管(HBT)与Si同质结双极晶体管(BJT)的直流特性进......
为保证通信电缆的通信质量,应定期对电缆的直流特性进行测试,兆欧表是测量电缆直流特性的常用仪表。本文从绝缘材料的特点、绝缘电......
利用ISE软件的水动力学模型对不同材料结构的AlAs／GaAs／inGaAs双势垒共振隧穿二极管（DBRTD）直流特性进行了模拟。当势垒厚度、势垒高度......
随着功率器件尺寸的不断缩小,绝缘体上硅技术所受的关注度日益增加。在0.18μm工艺条件下基于SOI技术,运用SILVACO公司的工艺仿真（A......
报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3 μ m AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μ m器件的饱和电流为55.9m......
对单台面SiGe HBT在E-B结反偏应力下直流特性的可靠性进行了研究.研究结果表明,随应力时间的增加,开启电压增加,直流电流增益下降,......
建立了氮极性（N-polar）GaN基HEMT器件的准二维（Quasi-2-D）电荷传输模型，仿真研究了N-polar GaN基HEMT的直流特性。仿真结果表明，不同的极......
在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个HBT并联时，常常出现电流坍塌的问题．研究了发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P／GaAs HBT直流及高频......
InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采......
应对电源管理市场对18 V高压应用的需求,研制了一种无EPI、在一般Si衬底片上的、基于0.18μm CMOS工艺技术的集成横向扩散,金属-氧......
设计了一种带有Al0.22Ga0.78As／In0.15Ga0.85As／GaAs发射极空间层和GaAs／In0.15Ga0．85As／GaAs量子阱的共振隧穿二极管(RTD)材料结构，并且......
基于HBT特殊的物理机理及结构,将适用于BJT的GP大信号模型用于InP基HBT的研究中。通过构建误差函数,采取解析法提取了该模型中的13......
制备了大尺寸 AlGaInP/GaAs SHBT和 DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了 AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(D......
利用Mo／W／Ti／Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP／GaAs双异质结双极晶体管(DHBT)，分析了与传......
研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)线性区的特性.用低能量(550 eV)的Ar+轰击n-MOSFET芯片的......
随着芯片的核心单元——器件尺寸的进一步降低,传统平面体硅MOS器件受到短沟道效应的挑战愈发严峻,生产率和性能均无法按照摩尔定......
射频功率器件对整个射频放大电路的性能起到决定性的影响。而这类器件依然没有精确、统一的电路模型。因此,基于分支电路模型建立......
通过定期应定期对电缆的直流特性进行测试，可以保证通信电缆的通信质量，兆欧表是测量电缆直流特性的常用仪表。本文从通过对电阻的测......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
在数据采集系统中,模数转换器(ADC)的误差对系统性能的影响是至关重要的.本文主要从直流特性、误差源、温度效应及交流特性等方面,......
研究了电子辐照前后齐纳二极管在不同温度下的直流参数特性以及其动态响应。根据直流伏安特性提取齐纳管理想因子n,发现高注量下n......
为了研究高功率微波对双极型晶体管的作用,在双极型晶体管基极直接注入高功率微波效应实验现象的基础上,建立了高功率微波作用于双......
半导体激光器（LD）广泛应用于工业、军事、医疗、通信等领域,其可靠性备受关注,无损检测方法成为研究热点。该文对大功率LD的直流（V-I,......
研究FinFET器件在极低温下DC和RF特性。在低温测试台中,5组不同温度(77 K,120 K,200 K,250 K,300 K)下,将4对体硅FinFET器件进行在......
基于p型衬底的DG SOI MOSFET器件,分析了PSP-SOI,BSIM-IMG和HiSIM-SOTB模型器件建模的可适用性。对3种模型的物理机理和数学方程进......
RF-LDMOS器件作为射频功率器件在目前的高频放大领域占据了很大的市场，从而评估这种器件的参数也变得非常重要。其作为场效应管的直......
期刊
GaN作为第三带半导体材料,具有高电子漂移速度、宽禁带和高击穿电压等优点,可以在高频率、高功率、高温和腐蚀性环境下工作。在自......
随着半导体材料和器件制备工艺的不断发展和完善,4H-SiC MESFET展现出了更加优良的大功率、高频率、耐高温高压等特性,在微波功率......
利用ZrO2:TiO2复合纳米纤维制作了特性良好的电容型湿度传感器。该湿敏元件在100 Hz测量频率下灵敏度较高,线性度较好。其电容值在......
