【摘 要】
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背接触太阳电池具有无栅线遮光、易封装等优点，是高效晶体硅太阳电池的一个重要发展方向。本文介绍了一种基于p型单晶硅衬底的EWT背接触太阳电池工艺流程，测试了器件在模拟光照下的I-V特性，讨论了激光打孔与去除热损伤、扩散发射极和通孔金属化等三种工艺的重要性以及对EWT太阳电池参数的影响。
【机 构】
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Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of S
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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背接触太阳电池具有无栅线遮光、易封装等优点，是高效晶体硅太阳电池的一个重要发展方向。本文介绍了一种基于p型单晶硅衬底的EWT背接触太阳电池工艺流程，测试了器件在模拟光照下的I-V特性，讨论了激光打孔与去除热损伤、扩散发射极和通孔金属化等三种工艺的重要性以及对EWT太阳电池参数的影响。
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近年来，金属纳米结构中的表面等离子(SPs)与紫外、可见和近红外光子的耦合已有大量的研究报道，并在光电子器件中得到了重要应用。但是，在中红外波段光子与SPs的相互作用的研究报道很少，原因之一是在中红外波段尚缺少合适的纳米材料。利用由闪锌矿CdTe (111)极性面提供的高浓度电子作为表面等离子激元，研究其与窄带隙半导体PbTe发出的中红外光子的作用。 CdTe和PbTe结构都是面心立方晶体，晶格
经Al+注入的4H-SiC(0001)晶片需要采用高温退火来消除晶格损伤以及激活离子,为了保护高温退火过程中的4H-SiC表面、抑制其粗糙度的增加,退火时在SiC表面覆盖上一层碳膜。退火之后,在O2气氛下经过1150℃干氧氧化数十分钟,碳膜可以完全去除。AFM测试显示,在退火过程中使用碳膜可以很好地抑制4H-SiC表面变得粗糙,退火前样品表面粗糙度为0.2 nm,退火后表面租糙度为1.0 nm.利
采用二次转移衬底技术制作了电注入氮化物谐振腔器件,其谐振腔的结构包括InGaN/GaN多量子阱、30 nm厚的ITO透明导电薄膜层和两个具有高反射率的介质膜DBRs。在ITO和DBR之间插入一层厚度为40 nm的Ta2O5层使得ITO置于光场的波节,这样谐振腔器件的Q值达到1720。进一步对激光剥离后的GaN表面采用化学机械抛光后,其表面的粗糙度减小到0.6 nm,最终所制作的谐振腔器件的Q值高达
在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻胶(PR)、镍(Ni)、铝、二氧化硅(SiO2)介质等多种掩膜方法。其中,用Ni金属作为掩膜刻蚀SiC或介质易形成接近垂直的台阶,而采用光刻胶掩膜刻蚀SiC或介质则易形成缓坡台阶。本论文通过对Ni金属掩膜下采用ICP刻蚀SiC
对4H-SiC MPS器件的正反向特性进行了二维模拟,并根据模拟结果进行了器件的设计和制造。实验测试结果显示,器件的性能与模拟结果吻合,通过一个简单的JTE结构的设计,使得器件具备优异的反向特性,在反向电压为800V时,漏电流只有1×10-4A。器件在反向工作时最大电场达到Em=3.4×106V/cm.这个值已基本达到4H-SiC的理论极限(通常被认为是2-～4×106V/cm)。采用Ti作为肖特
利用超高真空化学气相沉积设备,在Si(001)衬底上外延生长了4层Ge/Si量子点样品。通过原位掺杂的方法,对不同样品中的Ge/Si量子点分别进行了非掺杂、磷掺杂和硼掺杂。研究了掺杂对Ge/Si量子点表面形貌以及室温光荧光的作用。相比非掺杂的样品,Ge/Si量子点磷掺杂对其形貌影响很小,但其室温光荧光得到了有效的增强。而硼掺杂的样品Ge/Si量子点的密度有所减少且光荧光减弱。磷掺杂增强Ge/Si量
石墨烯具有高载流子迁移率，零带隙和高热导率以及常温下可观测的量子霍尔效应等优良特性，由于其独特的光吸收机制，对于制备高速，宽带的半导体光电器件有着很大的吸引力。随着光纤通信向着全光网络发展，探测器作为光纤通信的重要组件，面临着高速，高探测效率，低损耗等要求，石墨烯在这方面的应用研究相继展开，并被认为是最具潜力的方向之一。科学家预言，石墨烯探测器的潜在速率可以达到500GHz以上，目前，国际上已经制
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