【摘 要】
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本文采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对4H-SiC (0001)表面进行处理，并进一步研究了氢等离子体处理对SiO2/SiC界面态的影响。X射线光电子诺(XPS)表面测试分析结果显示，氢等离子体处理后，表面C/C-H污染物被有效的去除，氧含量明显降低。在此工艺基础上对SiC MOS电容的C-V电学特性测试结果表明，氢等离子体处理能有效降低SiO2/SiC的界面态密度至1.06×1012cm-2
【机 构】
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School of Electronic science and Technology, Faculty of Electronic Information and Electrical Engine
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对4H-SiC (0001)表面进行处理，并进一步研究了氢等离子体处理对SiO2/SiC界面态的影响。X射线光电子诺(XPS)表面测试分析结果显示，氢等离子体处理后，表面C/C-H污染物被有效的去除，氧含量明显降低。在此工艺基础上对SiC MOS电容的C-V电学特性测试结果表明，氢等离子体处理能有效降低SiO2/SiC的界面态密度至1.06×1012cm-2 eV-1。
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近年来，金属纳米结构中的表面等离子(SPs)与紫外、可见和近红外光子的耦合已有大量的研究报道，并在光电子器件中得到了重要应用。但是，在中红外波段光子与SPs的相互作用的研究报道很少，原因之一是在中红外波段尚缺少合适的纳米材料。利用由闪锌矿CdTe (111)极性面提供的高浓度电子作为表面等离子激元，研究其与窄带隙半导体PbTe发出的中红外光子的作用。 CdTe和PbTe结构都是面心立方晶体，晶格
经Al+注入的4H-SiC(0001)晶片需要采用高温退火来消除晶格损伤以及激活离子,为了保护高温退火过程中的4H-SiC表面、抑制其粗糙度的增加,退火时在SiC表面覆盖上一层碳膜。退火之后,在O2气氛下经过1150℃干氧氧化数十分钟,碳膜可以完全去除。AFM测试显示,在退火过程中使用碳膜可以很好地抑制4H-SiC表面变得粗糙,退火前样品表面粗糙度为0.2 nm,退火后表面租糙度为1.0 nm.利
采用二次转移衬底技术制作了电注入氮化物谐振腔器件,其谐振腔的结构包括InGaN/GaN多量子阱、30 nm厚的ITO透明导电薄膜层和两个具有高反射率的介质膜DBRs。在ITO和DBR之间插入一层厚度为40 nm的Ta2O5层使得ITO置于光场的波节,这样谐振腔器件的Q值达到1720。进一步对激光剥离后的GaN表面采用化学机械抛光后,其表面的粗糙度减小到0.6 nm,最终所制作的谐振腔器件的Q值高达
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对4H-SiC MPS器件的正反向特性进行了二维模拟,并根据模拟结果进行了器件的设计和制造。实验测试结果显示,器件的性能与模拟结果吻合,通过一个简单的JTE结构的设计,使得器件具备优异的反向特性,在反向电压为800V时,漏电流只有1×10-4A。器件在反向工作时最大电场达到Em=3.4×106V/cm.这个值已基本达到4H-SiC的理论极限(通常被认为是2-～4×106V/cm)。采用Ti作为肖特
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