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采用激光分子束外延(LMBE)设备，在六方Al2O3(0001)衬底上制备了TiO2／MgO双层外延薄膜.通过高能电子衍射（RHEED)对薄膜的生长过程原位监测，根据RHEED图像分别计算了立方结构的MgO层及四方结构Ti02层的外延取向及应力释放规律.在400℃度到室温下外延生长MgO薄膜，得到MgO的应力释放速度随温度的变化规律，表明MgO能够在400℃时保持层状生长，并具有原子级台阶平整表面.在MgO／Al2O3(0000)结构上，分析了TiO2层应力释放随厚度变化的规律.通过对TiO2／MgO双膜的应力释放规律的计算，确定了MgO及TiO2薄膜应变层的厚度.结果表明，在研究具有不同晶体结构材料的外延生长问题上具有典型性与代表性.为氧化物缓冲层生长的应变行为及控制提供了一种行之有效的方案，也为通过缓冲层应力调控诱导多元氧化物功能薄膜外延生长奠定基础.