外延生长相关论文
随着芯片尺寸不断缩小,短沟道效应、热效应日趋显著.开发全新的量子材料体系以实现高性能芯片器件应用已成为当前科技发展的迫切需......
二维过渡金属硫属化物以其优异的性能近年来得到了科学和产业界的广泛关注和研究兴趣。其中,单层二硫化钼和二硒化钼是最具代表性......
学位
通过金属有机物化学气相沉积（MOCVD）法，在6英寸硅（111）衬底上生长了出制作高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）的......
非磁/铁磁异质结构中存在很多有趣的演生现象，特别是，铂/铁磁异质结构中的反常霍尔效应是一个研究热点.本文采用脉冲激光沉积技术和......
假冒伪劣的盛行已严重危害国民的健康和政府的形象,例如食品、钞票、文件、贵重物品等经常被非法伪造,这对个人、公司、社会、国家......
刚玉结构的α-Al2O3具有高温硬度高,化学稳定性好,电绝缘性高和抗氚渗透性能好等优异的综合性能,在高速钢刀具涂层、微电子领域和......
锂离子动力电池由于无污染、工作电压高、能量密度高以及稳定性能好等优势,被广泛的运用在小型电子设备、电动汽车等领域。但是用......
立方氮化硼（c-BN）作为闪锌矿面心立方结构的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物，是第三代半导体材料里禁带宽度最大的材料，还具有热导率高、高硬度、耐......
研究了超声雾化化学气相沉积(Mist-CVD)法外延生长α-Ga2O3薄膜过程中通入雾流速率的调控及其对薄膜生长质量的影响.利用COMSOL Mu......
聚合物材料因其优异的韧性、耐腐蚀性和生物相容性等而被广泛应用于各个领域。但是聚合物材料又具有硬度低和耐磨性能差等不可忽视......
Cs Cl型Fe Rh合金在室温为反铁磁（AF）,加热时它经历了一个特殊的一级相变转变为铁磁（FM）相,因而在自旋电子设备上具有巨大的应用前景。......
金属有机骨架（Metal-organicframework,MOF）因其超高的孔隙率,可调控的孔道结构和内表面性质成为良好的膜分离材料之一。MOF膜的微观......
用射频磁控溅射法在SrTiO衬底上外延生长PLZT薄膜,研究了不同的溅射工艺对薄膜生长速率的影响,探讨了不同的后期热处理条件与薄膜......
利用激光分子束外延技术(LMBE)在Si(111)、SrTiO(100)单晶基片上在(10Pa)高真空环境中外延生长SrTiO(STO)、BaTiO(BTO)、BaSrTiO(B......
利用MOCVD设备进行倒装双结Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物太阳能电池隧穿结的外延优化.XRD、SEM对样品结构分析,结果表明晶格质量较高,晶格......
本文利用分子束外延方法,存MOCVD生长的GaN模板上生长出高质量、超甲坦的In极性InN薄膜,10μm×10μm见方的表面平整度(rms)值约为......
二维材料及其层状异质结展示了不同寻常的物理现象。五碲化铪(HfTe5)是一种二维材料,被预言是一种拓扑结缘体[1]。理论研究表明,在......
石墨烯的成功制备引发了世界范围内对新型二维晶体材料的探索和研究热潮，二维过渡金属二硫属化合物(TMDs)就是其中一类。由于TMDs ......
柔性 Ⅲ-Ⅴ 族太阳电池可以继承 Ⅲ-Ⅴ 族太阳电池超高的转换效率和卓越的空间抗辐射能力，空间和地面上应用空间更为广泛，在太阳能......
Ga2O3是一种新型的宽禁带半导体材料，拥有超大的带隙(～4.9 eV)、较大的击穿场强(～8 MV/cm)及较高的巴利加优值，在日盲光电探测、场效应......
本文用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、能量色......
过渡金属硅化物β-FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料,禁带宽度约0.8eV,是制作硅基光电子光源、探测器、太阳能电池以及热电器......
在蓝宝石衬底上,用MOCVD(金属有机物气相沉积)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快......
运用高温AlN缓冲层在Si(111)衬底上得到了高度取向的纤锌矿结构GaN.SEM测试微裂纹密度较低,裂纹间距在100ìm以上.x射线衍射的(000......
会议
运用低压金属有机物气相外延法(MOCVD),在GaN/蓝宝石复合衬底上,采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜,并对其进行扫描电......
会议
采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向晶向8的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外......
化学气相沉积(CVD)技术是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术,为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在影响方向8°的4H-SiC(0001)S......
铁电钛酸锶钡(BaSr(BSTO)薄膜材料具有很好的可调性,在微电子工业有广阔的应用前景.本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(001)LaAlO单......
运用金属有机物化学气相外延设备(MOCVD),在氮化镓/蓝宝石复合衬底上,采用横向外延生长技术制备出高质量的GaN外延薄膜,并对其进行......
本文应用拉曼散射方法研究了在不同温度下生长在Si(111)衬底上的3C-SiC外延层中的静力学应力.3C-SiC外延层是采用低压化学气相沉积......
随着集成电路集成度不断提高,主流技术的集成电路已经发展到0.35微米或更小的水平,集成 成电路对硅材料表面晶体完整性、吸杂特性......
CeO2是目前被广泛研究的能应用于YBCO涂层导体的过渡层材料,MOD(metalorganicdeposition)是一种成本低廉的非真空制备薄膜的化学溶......
研究了工艺参数对单晶镍基高温合金DD4激光直接成形过程中定向晶组织生长的影响规律。结果表明：单道熔覆层[001]方向定向晶比例随着......
同时实现高质量薄膜材料的高速、低温生长一直是工业界和学术界所追求的目标之一.高速生长的实现是降低生产成本的基础,而低温生长......
本文提出了一种利用分子束外延系统(MBE),通过改性后的低温高温两步法,在(001)硅片上生长高质量应变驰豫的锗膜的方法.这种改性后......
量鉴于未来对量子系统集成及大面积拓展的需求,由外延方式生长的量子点成为一个富有潜力的选项.然而,传统的自聚型量子点有无序分......
Co2FeAl是一种Full-Heusler合金,理论上由于其费米面附近自旋少数的电子态密度为零而具有100％自旋极化率1.另外,Co2FeAl的晶胞磁矩......
蓝宝石图形化衬底可以降低GaN外延的穿透位错密度并同时提高GaN基LED光提取效率,因此受到了广泛关注.目前市场上大多数图形化蓝宝......
GaN基器件近些年来发展快速.基于性价比的考虑,蓝宝石和硅衬底仍然是用来外延GaN的首要选择.但是不可避免的异质衬底会带来的晶格......
硅衬底上AlGaN/GaN异质结构因其优良的物理性能在功率电子器件领域有着广阔的应用前景.然而,由于硅衬底与外延层之间存在较大的晶......
GaN的缓冲层漏电问题严重影响AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)的高频性能和夹断特性.引入高阻GaN做缓冲层可以有效解决漏......
立方氮化硼(cBN)是一种高硬度、耐辐射、耐腐蚀、抗高温的宽禁带(Eg=6.4eV)多功能性材料,因其在机械、电子、物理化学等方面独特的......
利用水平式低压热壁CVD生长系统,在N型4H-SiC(0001)面的导电型衬底上进了两次外延生长,成功生长出了FJ(Floating Junction-FJ)结构......
