低功耗高线性射频混频器芯片设计

来源 :2011年青年通信国际会议(ICYC2011) | 被引量 : 0次 | 上传用户:eduaskbj
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  低功耗约束条件下高线性混频器的设计是混频器设计的难点和热点,受到广泛关注。本文讨论了射级反馈、前馈修正、正负反馈以及多双曲正切等混频器线性化设计技术的工作原理,并利用0.35um BiCMOS 工艺,设计了一个工作在1.6 GHz 频段的采用改进的四管交叉输入耦合对的Gilbert 型射频混频器。测试结果表明,在单电源+3.3V 供电下,该混频器的电压转换增益约为-13dB,本振抑制大于30dB,三次谐波抑制大于50dB,功耗小于24mW,达到预期指标要求。
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