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采用Monte Carlo方法的MCNP计算程序，对中子源屏蔽体和中子源室结构对屏蔽体不同探测位置的中子透射和反射情况进行了计算机模拟计算。计算采用的入射粒子分别为14MeV，5MeV的单能中子以及Cf-252自发裂变中子。从计算结果看，屏蔽体的尺寸和结构对中子透射的影响都比较明显；源室的结构和地坑也对本底产生较大影响。通过理论计算可以了解屏蔽体结构和源室情况对测量本底的影响，可为源室设计以及中子实验研究提供重要参考。