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本文采用KOH融溶液腐蚀了n型和P型的SiC外延层，对BPD在外延材料中的延伸和转化机理进行了研究分析。通过对n型和P型的SiC外延材料进行腐蚀，发现衬底中的BPD在n型SiC外延材料中得到延续，在P型SiC外延材料中得到抑制。
SiC同质外延材料中基失面位错转化机理研究
【摘 要】
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本文采用KOH融溶液腐蚀了n型和P型的SiC外延层，对BPD在外延材料中的延伸和转化机理进行了研究分析。通过对n型和P型的SiC外延材料进行腐蚀，发现衬底中的BPD在n型SiC外延材料中
【机 构】
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专用集成电路重点实验室,石家庄 050051
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
【发表日期】
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2013年期
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