【摘 要】
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本研究主要将成长在(0001)面蓝宝石基板上的传统LED藉由透明矽胶做为暂时基板,再利用KrF准分子雷射进行剥离蓝宝石基板,配合二次基板转移技术,将LED薄膜转置於陶瓷基板陶瓷基板上.另外为再次提升光萃取率,本计画在n-GaN的磊晶表面上使用KOH溶液将表面粗糙化,经由不同时间参数进行蚀刻,最后探讨光电特性的变化.而经过KOH溶液蚀刻30分钟之後,n-GaN表面成长之纳米柱状结构与传统结构之光输出
【出 处】
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海峡两岸第二十三届照明科技与营销研讨会
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本研究主要将成长在(0001)面蓝宝石基板上的传统LED藉由透明矽胶做为暂时基板,再利用KrF准分子雷射进行剥离蓝宝石基板,配合二次基板转移技术,将LED薄膜转置於陶瓷基板陶瓷基板上.另外为再次提升光萃取率,本计画在n-GaN的磊晶表面上使用KOH溶液将表面粗糙化,经由不同时间参数进行蚀刻,最后探讨光电特性的变化.而经过KOH溶液蚀刻30分钟之後,n-GaN表面成长之纳米柱状结构与传统结构之光输出功率相较之下有65％的提升.
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