光输出功率相关论文
为改善GaN基发光二极管（LED）的光学性能，设计并制备了具有高反射率与宽反射带宽的SiO2/Ti3O5分布式布拉格反射镜（DBR）结构的蓝光和白光G......
AlGaN材料作为第三代半导体材料,在深紫外发光二极管（Deep ultraviolet-Light emitting diodes,DUV-LEDs）等光电子器件领域具有非常......
高功率氮化镓基蓝光激光器在激光显示、激光照明和材料加工等领域具有广泛的应用前景.通过优化GaN基蓝光激光器的封装结构,采用双......
高功率氮化镓基蓝光激光器在激光显示、激光照明和材料加工等领域具有广泛的应用前景。本论文通过优化GaN基蓝光激光器的封装结构，......
该文采用Essential Macleod软件设计了一种在420 nm～480 nm波段且具有全入射角度、高反射率(大于96％)的TiO2/SiO2分布布拉格反射镜(D......
通过对GaN基发光二极管(LED)的阻挡层和量子势垒结构的设计研究,发现具有锯齿形的电子阻挡层(EBL)和齿形InGaN/GaN势垒的GaN基发光......
抗Y射线瞬时辐射能力是考核光电器件可靠性的重要指标之一。在“强光一号”加速器上对少量超辐射发光二极管(SLD)进行了瞬时电离辐......
本研究主要将成长在(0001)面蓝宝石基板上的传统LED藉由透明矽胶做为暂时基板,再利用KrF准分子雷射进行剥离蓝宝石基板,配合二次基......
提出采用自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题。基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通......
索尼发布了一款用于投影设备的世界最亮红光635nmLD阵列。该LD阵列光输出功率达到了7．2W的新纪录，输出波长为635nm。该LD阵列的高亮......
夏普开发出了脉冲振荡时的光输出功率高达500mW的蓝紫色半导体激光器。面向记录型蓝光光盘装置，振荡波长为405nm。对于3层或4层光盘......
Enhancement of light output powers of GaN-based light emitting diodes with textured indium tin oxide
为了支持光，输出射出二极管(LEDs ) 的基于陷阱的光的力量，二种新奇腐蚀剂液体在这份报纸被开发了变粗糙铟听氧化物(ITO ) 的表面 LE......
本文开展了连续激光二极管抽运声光调Q高重频人眼安全内腔式KTP-OPO的实验研究,研究了在相同二极管抽运功率下,基频光和信号光......
提出采用 自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题.基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通......
Al Ga N基深紫外发光二极管(DUV LED)拥有环保、安全、高效和低功耗等特点,在众多领域均具有独特的优势,包括杀菌消毒、水和空气的......
抗Y射线瞬时辐射能力是考核光电器件可靠性的重要指标之一。在“强光一号”加速器上对少量超辐射发光二极管(SLD)进行了瞬时电......
本文用同种GaN基LED外延片材料制作了不同尺寸大小和不同电极位置的芯片,测试比较了它们的I-V特性和P-I特性。结果表明：GaN基LED芯......
利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上成功地生长出了较高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得(002)遥摆曲线的半峰宽(FWH......
介绍一种准连续Nd∶YAG倍频输出660 nm红光激光器.它采用平-平腔结构,设置声光Q开关,利用KTP晶体在1319 nm Nd∶YAG激光腔内倍频获......
采用美国激光二极管列阵(RE63-2C2-CA1-0021型)泵浦的Nd∶YAG激光器，工作物质尺寸为φ6.35×146mm，5付列阵对YAG棒横向泵浦，恒温控制......
摄像头的测距和测量精度取决于两个因素：所发射和反射的红外光的强度，并在很大程度上取决于3D图像传感器芯片的像素灵敏度。现在，全新......
【摘 要】LED作为一种全新的光源技术，其应用越来越广泛。怎样去测试LED的性能及使用寿命，一直受到行业和各使用部门的关注。本文就......
【摘 要】超辐射发光二极管（SLD）作为一种非相干性宽带光源，其性能介于激光器和发光二极管之间，具有宽的光谱以及较大光输出功率特性，成......
夏普将上市光电转换效率为14．8％、使用多晶硅的世界最大功率太阳能电池等2种提高光输出功率的太阳能电池模块。其中，号称世界最高功率......
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Using the ray trace method,three-section semiconductor lasers are studied .An analytic expression of output power for th......
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日立制作所试制出了振荡波长为755nm、在单一横模式下连续振荡时的光输出功率高达100mw的半导体激光器。在室温下。光输出功率为10......
用电子束蒸发技术制备了 GaAlAs/GaAs 和 InGaAsP/InP 发光管的减反射膜。从不同的 LED 和膜厚所获得的结果表明:0.85μm 或0.9μm......
据报道，索尼和住友电气工业试制出了绿色半导体激光器，振荡波长为530nm，连续振荡时可实现100mW以上的光输出功率。2009年住友电工曾发......
研究了不同厚度的多量子势垒电子阻挡层（MQB-EBLs）对InGaN UV LED的效率的影响。分析了影响不同厚度MQB-EBLs的LED光输出功率（LOP）的主......
射出设备的一盏新奇的硅灯与标准 0.35 渭 m 2P4M 被认识到混合 Mode/RF 互补金属氧化物半导体技术。在一个反向的故障模式和罐头......
高压LED制备工艺中,优化电极参数是获得均匀分布电流,改善电流输运特性,提高器件出光效率的主要方法之一。改进不同隔离层制备工艺......
经国家级认证机构——中国杭州远方检测校准技术有限公司的检测认证，青岛杰生电气有限公司自主研发的280nm大功率深紫外发光芯片单......
综述了国内外在LED钝化材料、钝化工艺和钝化处理对LED性能的影响等方面的一些主要研究进展,指出了以蓝宝石为衬底GaN基LED钝化材......
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近年来，由于蓝光和绿光氮化镓基发光二极管（GaN基LED）具有发光效率高、节能、寿命长、尺寸小和污染小，极大地激起了人们将之应用于背光......
从90年代氮化镓(Gallium Nitride，GaN)材料出现以来，InGaN/GaN量子阱蓝绿光发光二极管(Light Emitting Diodes，LED)技术得到了很大的......
本文提出并设计了一种全新结构的垂直腔面发射激光器:新型分布孔结构垂直腔面发射激光器。新型结构克服了原有VCSEL发射功率低,大......
为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效，对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究。通过测量和表征大功率半导体激光......
