2009年,为了满足清华大学微型脉冲强子源(CPHS[1])中的质子直线加速器注入系统的供束需求,中科院兰州近代物理研究所为清华大学工程物理系强子应用研究中心设计建造一台强流ECR质子源(2.45 GHz,1.5 KW),目标是产生50keV,60mA的脉冲质子束(50Hz/0.5 ms)。 其中质子源中的氢等离子体的离子密度对于质子源束流的引出特性以及核心部件(磁场构型,微波溃入)的控制有重要的参考意义。本文中,我们通过发射光谱的诊断方法,利用H2等离子体的辐射碰撞模型[2],对在连续溃入的微波功率和全永磁磁场的约束下下产生高密度的H2等离子体进行光谱诊断,计算出在一定的放电条件下(P微波=206～700W,P压强=0～2 Pa),H+的密度约为1010～1011 cm-3,此外,我们还将对该实验中观察到的balmer系氢原子发射光谱强度随放电条件的变化规律进行讨论。