【摘 要】
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为了提高器件ITO/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al的电致发光,在本论文中我们研究了以MoO3和ZnS为缓冲层的器件ITO/缓冲层/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al的发光特性.在器件ITO/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al中,在直流电场下,我们观察到了ZnO纳米棒在380nm的近紫外电致发光.通过研究纳米棒的生长时间、晶种退火温度以及有机层厚度对器件发光性能的影响,总
【机 构】
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北京交通大学光电子技术研究所,北京 100044 发光与光信息技术教育部重点实验室,北京 1000
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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为了提高器件ITO/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al的电致发光,在本论文中我们研究了以MoO3和ZnS为缓冲层的器件ITO/缓冲层/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al的发光特性.在器件ITO/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al中,在直流电场下,我们观察到了ZnO纳米棒在380nm的近紫外电致发光.通过研究纳米棒的生长时间、晶种退火温度以及有机层厚度对器件发光性能的影响,总结了ZnO纳米棒/MEH-PPV异质结的近紫外电致发光的条件.为了提高ZnO纳米棒的近紫外电致发光,我们分别制备了以MoO3和ZnS为缓冲层的器件,首先用热蒸发的办法,在ITO玻璃上制备了不同厚度的MoO3和ZnS,而后利用水热法在缓冲层上生长了取向较一致的ZnO纳米棒阵列,再用旋涂的方法制备了有机层MEH-PPV,得到器件ITO/缓冲层/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al.在电场下,探测了器件的电致发光特性,得到了较强的、波长位于380hm的近紫外发光.实验结果表明,加入ZnS薄层的器件可得到纯色的380nm处的ZnO近紫外发光,且启亮电压较没有ZnS薄层的器件有所下降.分析认为：ZnS缓冲层的加入,改善了阳极界面,降低了空穴注入能垒,并有效地平衡了ZnO纳米棒与MEH-PPV的电荷迁移率,使激子在ZnO层复合,从而得到了较纯的近紫外电致发光.
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