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华虹NEC深沟槽刻蚀和填充超级结工艺技术的核心是完美的深沟槽刻蚀技术和深沟槽填充技术。满足700 V击穿电压要求的沟槽深度达到3540 Eun，考虑到P型和n型耗尽后微观的电荷平衡，沟槽的宽度和间距都有一定的要求，经过多次尝试与研究，华虹NEC选定5 dun宽度，间距为12 Eun，刻蚀深度达到35 um作为典型的深沟槽进行刻蚀。完美的深沟槽是深沟槽型超级结MOSFET技术的基础。华虹NEC深沟槽型超级结MOSFET器件原型设计经过多轮流片，实现电荷平衡后耐压达到720 V，导通电阻为0.38Ω，芯片面积为10 mm2。结果表明：华虹NEC深沟槽型超级结原型设计直流参数达到甚至超过市场同类产品水平。华虹NEC深沟槽型超级结工艺技术具备低漏电流的显著优点，与市场上同类器件的比较，华虹NEC原型设计芯片漏电流比参考器件低一到两个数量级。同时工艺流程简单，制造周期短，为客户基于此技术开发高性能的超级结MOSFET开关器件打下工艺技术基础。