【摘 要】
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本文设计并实现了一种具有新型图形化SiO2/A12O3钝化层的GaN基发光二极管(LED).此新型钝化层包含两层,其中第一层Al2O3是用原子层沉积(ALD)技术生长,其薄膜具有很好的均匀性
【机 构】
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东南大学电子科学与工程学院先进光子学中心
【出 处】
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2014中国长三角照明科技论坛暨上海市照明学会会员大会
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本文设计并实现了一种具有新型图形化SiO2/A12O3钝化层的GaN基发光二极管(LED).此新型钝化层包含两层,其中第一层Al2O3是用原子层沉积(ALD)技术生长,其薄膜具有很好的均匀性和致密性,进而实现了良好的钝化效果;第二层SiO2是用PECVD生长,并在其上制作了半球形阵列,降低了全反射,进而增强了出光功率(LOP).在60mA输入电流条件下,具有图形化SiO2/Al2O3钝化层的LED与传统的用SiO2作为钝化层的LED相比,其出光功率提高了21.6％.
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