【摘 要】
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高温退火工艺可以消除硅片近表层的COP,使得近表层晶体结构更加完美。本文研究了高温退火工艺参数变化对300mm硅片COP消除效果的影响,分析了高温退火温度和恒温时间对COP
【机 构】
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北京有色金属研究总院 有研新材料股份有限公司
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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高温退火工艺可以消除硅片近表层的COP,使得近表层晶体结构更加完美。本文研究了高温退火工艺参数变化对300mm硅片COP消除效果的影响,分析了高温退火温度和恒温时间对COP-FREE层厚度的影响,通过直接表面氧化层缺陷(DSOD)法分析高温退火硅片和COP-free硅片的差异,最后研究了高温退火条件对硅片几何参数、体金属的影响。综合上述研究结果,发现高温退火工艺在消除硅片近表层COP效果非常明显,高温退火硅片的近表层晶体结构和COP-free单晶相差无几。但是高温退火工艺中非常容易引入金属沾污到硅片体内,因此高温退火工艺中金属沾污的控制至关重要。
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