随着半导体技术节点的推进,Si 基Flash 非易失性存储器(NVM)已逐渐暴露出尺寸缩小困难、运行速度缓慢、写操作中的高电压等技术障碍问题。因此,新型存储技术以及存储器候选材料的突破已成为存储器领域研究的重要任务。近年来,一种基于材料阻变性能的RRAM 因具有高响应速度、尺寸伸缩性强、多位储存、结构简单操作电压低以及与传统CMOS 工艺兼容等优点而受到业界与学术界的广泛关注。随着对各种单层薄膜材料阻变的深入研究,各自机理逐渐清晰,然而多层薄膜阻变的系统研究还较为缺乏。本工作在对BaTiO3、NiO单层薄膜的阻变行为研究基础上,对BaTiO3/Co：BaTiO3 双层,BaTiO3/Co：BaTiO3/BaTiO3 三层、NiO/BaTiO3 双层薄膜等的阻变行为展开了系统的研究,表明界面有效地调控RRAM 器件呈现出双极(bipolar)、单极(unipolar)、互补(complementary)的类型。