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本文提出基于TSMC 90nm CMOS工艺的分布式漏极混频器，结果表明，在13-100GHz内获得(-4±1)dB良好的变频损耗，这种分布式混频器是目前为止己知获得的最宽的带宽性能，也是首次在90nm CMOS工艺下进行该种结构的混频器的设计。
基于90nm CMOS工艺的超宽带分布式混频器设计
【摘 要】
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本文提出基于TSMC 90nm CMOS工艺的分布式漏极混频器，结果表明，在13-100GHz内获得(-4±1)dB良好的变频损耗，这种分布式混频器是目前为止己知获得的最宽的带宽性能，也是首次在90nm
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
【发表日期】
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2014年期
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