【摘 要】
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<正>Ⅳ-Ⅵ族半导体材料Pb Se具有许多独特的物理性质,例如:窄的直接带隙,对称的能带结构,重空穴带的缺失以及低的俄歇复合率等。目前Pb Se已应用于红外窗口、红外探测等方面,
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<正>Ⅳ-Ⅵ族半导体材料Pb Se具有许多独特的物理性质,例如:窄的直接带隙,对称的能带结构,重空穴带的缺失以及低的俄歇复合率等。目前Pb Se已应用于红外窗口、红外探测等方面,而且它在温差发电[1,2]及太阳能[3]等技术领域也具有广阔的应用前景。大量的研究表明立方Na Cl结构的Pb Se在4.5 GPa和16GPa分别会相变为正交Ge S和立方Cs Cl结构[4,5],相变后其电子结构会发生显著变化进而影响其光学和电学输运性能[5]。但是这些相变都是可逆的,因此常压条件下对
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