【摘 要】
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辐照会引起MOS管阈值电压产生漂移,使场寄生管导通而引起漏电流增大.为此,我们希望找到一种方法能有效地降低辐照后场区正电荷累积,提高场区抗辐射性能,使辐照后电路漏电流增
【机 构】
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中国电子科技集团公司,第四十七研究所,沈阳市陵园街20号,110032
【出 处】
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第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
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辐照会引起MOS管阈值电压产生漂移,使场寄生管导通而引起漏电流增大.为此,我们希望找到一种方法能有效地降低辐照后场区正电荷累积,提高场区抗辐射性能,使辐照后电路漏电流增加值降低.这里我们采用氧化层与氮化硅复合场介质制造工艺,通过比较电路漏电流的变化来对比新工艺与常规加固工艺场氧层的抗电离辐射性能.文中给出了试验数据.研究结果表明,采用二氧化硅与氮化硅复合场介质能够有效的抑制辐照引起的漏电流增大,提高场区抗辐照性能,进而提高电路的抗辐射性能.
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